东芝揭晓了可以存储1TB的新型3D闪存芯片

发布时间：2022-04-11 15:45:31 所属栏目：要闻来源：互联网

导读：东芝已经开始运输其第三代3D NAND闪存芯片技术的样品，堆叠64层闪存电池，并且比上一代技术更高的容量超过了65％，它使用了48层。基于TOSHIBA调用BICS（比特成本缩放）的垂直堆叠或3D技术，公司NAND闪存存储每个晶体管的三位数据，这意味着它是一个多级单元

　　东芝已经开始运输其第三代3D NAND闪存芯片技术的样品，堆叠64层闪存电池，并且比上一代技术更高的容量超过了65％，它使用了48层。

　　基于TOSHIBA调用BICS（比特成本缩放）的垂直堆叠或3D技术，公司NAND闪存存储每个晶体管的三位数据，这意味着它是一个多级单元（MLC）闪存芯片。它可以存储每个芯片的512gbits（64GB）。

　　其一部分的BICS闪存产品线，新芯片还每芯片存储3位数据，每个芯片存储512千兆位或64GB。东芝的第二代BICS闪存芯片持有256GB（32GB）的容量。

　　该公司表示，新技术将启用1TB芯片，该芯片将用于创建企业和消费者SSD。新的512GB芯片设备的大规模生产计划于2017年下半年。

　　基于东芝和合作伙伴WD开发的垂直堆叠或3D技术，最新的BICS（比特成本缩放）技术每扇区存储三位数据，并将这些单元格64层高。

　　东芝最近宣布，建筑在日本Mie Peocke的yokkaichi运营中开始了新的最先进的半导体制造工厂，Fab 6和一个新的记忆集中的研发中心。FAB 6将致力于生产公司的BICS闪存产品。

　　该公司在20世纪80年代初发明了NAND Flash，上个月宣布它正在探索其内存业务，包括其3D Bics技术线。日经指数的亚洲审查报告称，东芝一直在考虑将其半导体运营旋转，并销售局部利率与西方数字（WD），“它试图应对其美国核电机组的大规模减值损失。”

　　东芝今天宣布仍未确定其内存业务的销售。

　　该公司告诉投资者，旨在帮助它进入“东芝内存公司”进入“东芝内存公司”进入“东芝内存公司”中的内存业务的旨在帮助它使用投资。

　　东芝和WD已经共同运营了记忆制造工厂，例如位于日本Yokkaichi的Fab 2植物。

　　“将内存业务分成单一的企业实体将在快速决策中提供更大的灵活性，并加强融资选项，这将导致内存业务的进一步增长，”今天在其宣布中表示。

（编辑：开发网_开封站长网）

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